Первый элемент обозначает полупроводниковый материал из
которого изготовлен прибор:
Г или 1 — германий
К или 2 — кремний
А или 3 — галлий (например, для арсенид галлия)
И или 4 — индий (например, для фосфид индия)
Второй элемент - определяет подкласс :
Д — диоды выпрямительные и импульсные
Ц — выпрямительные столбы и блоки
В — варикапы
И — туннельные диоды
А — сверхвысокочастотные диоды
С — стабилитроны
Г — генераторы шума
Д — излучающие оптоэлектронные приборы
О — оптроны
Н — диодные тиристоры
У — триодные тиристоры.
Третий элемент - основные функциональные возможности прибора:
Четвёртый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки
технологического типаПятый элемент – буква, условно определяющая классификацию (разбраковку по
параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии..
параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии..
1 — выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого
тока менее 0,3 А
2 — выпрямительные диоды с постоянным или средним значением прямого
тока 0,3-10 А
4 — импульсные диоды с временем восстановления обратного сопротивления
более 500 нс
5 — импульсные диоды с временем восстановления 150-500 нс
6 — импульсные диоды с временем восстановления 30-150 нс
7 — импульсные диоды с временем восстановления 5-30 нс
8 — импульсные диоды с временем восстановления 1-5 нс
9 — импульсные диоды с эффективным временем жизни неосновных
носителей заряда менее 1 нс.
1 — столбы с постоянным или средним значением прямого тока менее 0,3 А
2 — столбы с постоянным или средним значением прямого тока 0,3-10 А
3 — блоки с постоянным или средним значением прямого тока менее 0,3 А
4 — блоки с постоянным или средним значением прямого тока 0,3-10 А
1 —подстроечные варикапы
2 — умножительные варикапы
1 — усилительные туннельные диоды
2 — генераторные туннельные диоды
3 — переключательные туннельные диоды
4 — обращённые диоды
1 — смесительные диоды
2 — детекторные диоды
3 — усилительные диоды
4 — параметрические диоды
5 — переключательные и ограничительные диоды
6 — умножительные и настроечные диоды
7 — генераторные диоды
8 — импульсные диоды
1 — стабилитроны мощностью менее 0,3 Вт с номинальным напряжением
стабилизации менее 10 В
2 — стабилитроны мощностью менее 0,3 Вт с номинальным напряжением
стабилизации 10 … 100 В
3 — стабилитроны мощностью менее 0,3 Вт с номинальным напряжением
стабилизации более 100 В
4 — стабилитроны мощностью 0,3-5 Вт с номинальным напряжением
стабилизации менее 10 В
5 — стабилитроны мощностью 0,3-5 Вт с номинальным напряжением
стабилизации 10...100 В
6 — стабилитроны мощностью 0,2-5 Вт с номинальным напряжением
стабилизации более 100 В
7 — стабилитроны мощностью 5-10 Вт с номинальным напряжением
стабилизации менее 10 В
8 — стабилитроны мощностью 5 -10 Вт с номинальным напряжением
стабилизации 10... 100 В
9 — стабилитроны мощностью 5 … 10 Вт с номинальным напряжением
стабилизации более 100 B.
1 — низкочастотные генераторы шума;
2 — высокочастотные генераторы шума.
Излучающие оптоэлектронные приборы (подкласс Л):
Источники инфракрасного излучения:
1 — излучающие диоды;
2 — излучающие модули.
Приборы визуального представления информации:3 — светоизлучающие диоды;
4 — знаковые индикаторы;
5 — знаковые табло;
6 — шкалы;
7 — экраны.
Р — резисторные оптроноы;
Д — диодные оптроны;
У — тиристорные оптроны;
Т — транзисторные оптроны.
1 — тиристоры с максимально допустимым значением прямого тока менее 0,3 А;
2 — для тиристоров с максимально допустимым значением прямого тока более 0,3-10 А.
Незапираемые тиристоры:
1 —тиристоры с максимально допустимым значением среднего тока в
открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением
импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А
2 — тиристоры с максимально допустимым значением среднего тока в
открытом состоянии 0,3-10 А или максимально допустимым значением
импульсного тока в открытом состоянии 15-100 А
7 —тиристоры с максимально допустимым значением среднего тока в
открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением
импульсного тока в открытом состоянии более 100 А
Запираемые тиристоры:3 —тиристоры с максимально допустимым значением среднего тока в
открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением
импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А
4 —тиристоры с максимально допустимым значением среднего тока в
открытом состоянии 0,3-10 А или максимально допустимым значением
импульсного тока в открытом состоянии 15-100 А
8 —тиристоры с максимально допустимым значением среднего тока в
открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением
импульсного тока в открытом состоянии более 100 А
Симметричные тиристоры:
5 — тиристоры с максимально допустимым значением среднего тока в
открытом состоянии не более 0,3 А или максимально допустимым значением
импульсного тока в открытом состоянии не более 15 А;
6 — тиристоры с максимально допустимым значением среднего тока в
открытом состоянии 0,3 … 10 А или максимально допустимым значением
импульсного тока в открытом состоянии 15 … 100 А;
9 — тиристоры с максимально допустимым значением среднего тока в
открытом состоянии более 10 А или максимально допустимым значением
импульсного тока в открытом состоянии более 100 А.
Четвёртый элемент – число, обозначающее порядковый номер разработки
технологического типа.Для обозначения порядкового номера разработки используется двухзначное число
от 01 до 99. Если порядковый номер разработки превысит число 99, то в
дальнейшем используют трёхзначное число от 101 до 999.
параметрам) приборов, изготовленных по единой технологии.
В качестве классификационной литеры используют буквы русского алфавита (за
исключением букв З, О, Ч, Ы, Ш, Щ, Ю, Я, Ь, Ъ, Э).
В качестве дополнительных элементов обозначения используют следующие
символы:
цифры 1 … 9 для обозначения модификаций прибора, приводящих к изменению
его конструкции или электрических параметров;
букву С для обозначения сборок – наборов в общем корпусе однотипных приборов,
не соединенных электрически или соединенных одноименными выводами;
цифры, написанные через дефис, для обозначений следующих модификаций
конструктивного исполнения бескорпусных приборов:
1 —с гибкими выводами без кристаллодержателя;
2 — с гибкими выводами на кристаллодержателе (подложке);
3 — с жёсткими выводами без кристаллодержателя (подложки);
4 — с жёсткими выводами на кристаллодержателе (подложке);
5 — с контактными площадками без кристаллодержателя (подложки) и без
выводов;
6 — с контактными площадками на кристаллодержателе без выводов.
Буква Р после последнего элемента обозначения – для приборов с парным
подбором, буква Г – с подбором в четвёрки, буква К – с подбором в шестёрки.
обозначений. Условные обозначения состояли из двух или трёх элементов.
Первый элемент обозначения – буква Д, характеризующая весь класс
полупроводниковых диодов.
Второй элемент обозначения – число (номер), которое указывает на область
применения:
от 1 до 100 — для точечных германиевых диодов;
от 101 до 200 — для точечных кремниевых диодов;
от 201 до 300 — для плоскостных кремниевых диодов;
от 301 до 400 — для плоскостных германиевых диодов;
от 401 до 500 — для смесительных СВЧ детекторов;
от 501 до 600 — для умножительных диодов;
от 601 до 700 — для видеодетекторов;
от 701 до 749 — для параметрических германиевых диодов;
от 750 до 800 — для параметрических кремниевых диодов;
от 801 до 900 — для стабилитронов;
от 901 до 950 — для варикапов;
от 951 до 1000 — для туннельных диодов;
от 1001 до 1100 — для выпрямительных столбов.
Третий элемент обозначения – буква, указывающая на разновидность групп
однотипных приборов.
Для обозначения стабилитронов до 1981 года в качестве третьего и четвёртого
элементов присваивались числа:
малой мощности (Р ≤ 0,3 Вт):
от 101 до 199 — с напряжением стабилизации 0,1 … 9,9 В;от 210 до 299 — с напряжением стабилизации 10 … 99 В;
от 301 до 399 —с напряжением стабилизации 100 … 199 В;
средней мощности (0,3 Вт < Р ≤ 5 Вт):
от 401 до 499 — с напряжением стабилизации 0,1 … 9,9 В;
от 510 до 599 — с напряжением стабилизации 10 … 99 В;
от 601 до 699 — с напряжением стабилизации 100 … 199 В;
большой мощности (Р > 5 Вт):
от 701 до 799 — с напряжением стабилизации 0,1 … 9,9 В;
от 810 до 899 — с напряжением стабилизации 10 … 99 В;
от 901 до 999 — с напряжением стабилизации 100 … 199 В.
